Tranzystor bipolarny
Date Published
Transystor bipolarny (pełna nazwa: bipolarny tranzystor złączowy, w skrócie BJT – Bipolar Junction Transistor) to jeden z podstawowych elementów elektronicznych stosowanych do wzmacniania i przełączania sygnałów elektrycznych. Jest to element półprzewodnikowy, który wykorzystuje przepływ zarówno elektronów, jak i dziur (stąd nazwa "bipolarny").
🔧 Budowa transystora bipolarnego
Transystor bipolarny składa się z trzech warstw półprzewodnikowych oraz trzech wyprowadzeń:
Emiter (E) – dostarcza nośniki ładunku (elektrony lub dziury),
Baza (B) – cienka warstwa, przez którą kontrolowany jest przepływ nośników,
Kolektor (C) – odbiera nośniki ładunku.
Wyróżniamy dwa typy tranzystorów bipolarnych:
NPN – emiter i kolektor są typu N, baza typu P,
PNP – emiter i kolektor są typu P, baza typu N.
⚙️ Zasada działania
Transystor bipolarny działa na zasadzie kontrolowanego przepływu prądu:
Mały prąd bazy steruje większym prądem kolektora**.
Główne działanie odbywa się w tzw. trybie aktywnym, w którym:
złącze emiter–baza jest spolaryzowane przewodząco,
złącze kolektor–baza jest spolaryzowane zaporowo.
Dzięki temu niewielki prąd wejściowy steruje znacznie większym prądem wyjściowym, co umożliwia wzmacnianie sygnałów.
🔄 Tryby pracy
Transystor bipolarny może pracować w różnych trybach:
Tryb aktywny – do wzmacniania sygnałów,
Tryb nasycenia – pełne przewodzenie (stosowany w przełącznikach),
Tryb zatkania – brak przewodzenia (przełącznik wyłączony),
Tryb inwersyjny – rzadko używany, z odwróconą polaryzacją.
⚡ Zastosowania
Transystory bipolarne mają szerokie zastosowanie:
wzmacniacze audio i radiowe,
układy cyfrowe (choć coraz rzadziej – wypierane przez tranzystory MOSFET),
klucze elektroniczne w mikroprocesorach i sterownikach,
układy impulsowe, np. przetwornice.
📊 Charakterystyki
Tranzystor bipolarny opisuje się m.in. przez:
wzmocnienie prądowe (β, h_FE),
charakterystyki wyjściowe (prąd kolektora vs. napięcie kolektor-emiter),
czas przełączania (ważny w układach cyfrowych i impulsowych).